当前位置:主页 > 香港马经 > 正文
集成电路板的定义及它在设计上具有怎样的特点
发布机构:本站原创    浏览次数:次 发布时间:2019-07-10

  grated circuit,港台称之为积体电路)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,这样,整个电路的体积大大缩小,且引出线和点的数目也大为减少,从而使向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。

  集成电路板具有体积小、重量轻、引出线和焊接点少、寿命长、可靠性高、性能好等优点,同时成本低,便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。

  在焊制分立元器件电路时,是按照电路图把各种元器件一个个焊接到电路板上,连成整个电路。集成电路的情况与此不同,不管电路的形式怎样不同,是简单的还是复杂的,是数字的还是模拟的,制作集成电路的工艺过程都是基本相同的。制作不同电路形式集成电路的区别,只是在几次光刻时所使用的一套光刻掩模版图形不同。

  集成电路的芯片合格率和电路或电路中元器件占用的硅片面积大小有直接关系。元器件图形占用硅片面积大,硅片材料上存在的缺陷就可能多些,造成沾污和造成工艺缺陷的可能性就大些,所以集成电路芯片图形占用硅片面积越大,合格率就越低。集成电路中高电阻、大电容会占用较大面积硅片,这不仅使集成度减小,而且降低了合格率,所以设计集成电路时应尽量少用高电阻、大电容。集成电路中制造晶体管所占用的硅片面积比较小,而多造几只晶体管在工艺上并不增加困难,所以集成电路中宁愿多用些半导体三极管、二极管,而要尽量少用电阻、电容。

  程介绍:《晶体管电路设计与仿真》视频教程一、学习课程的准备工作及必备工具工欲善其事必先利其器1、一本《晶体管电路设计(上

  根据日经所作出的2018年“主要商品、服务市占调查”,在全部74个品项的全球市占中,韩国在5个项目上....

  中微公司公布上市公告,最终发行价格为29.01元,静态市盈率达到170倍。 7月9日凌晨,中微公司公....

  在Dialog半导体公司,我们不断改进模拟电路基础和高度集成的混合信号IC,助力智能互联世界。我们的....

  这是第一次集成了光学远距离触摸传感器:这使得“唤醒”控制与它的操作一样直观。

  近年来的中美摩擦,给东南亚很多国家带来了很多利好机会。而印度则是其中一个受益者。

  三星电子官方回应,半导体核心材料的供求情况比预想严重,无法推迟日本行程。

  据报道,关于雷达(英文名RADAR,全称Radio Detection and Ranging)的历....

  近日,全球知名的EDA工具厂商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP(7nm Low P....

  日前,瓴盛科技有限公司宣布落户上海集成电路设计产业园。该公司注册资本为29.8亿元,其自主研发的So....

  临港集团与国微集团达成战略合作协议 将打造服务于半导体产业生态链的芯片产业园

  7月8日,上海临港经济发展(集团)有限公司(以下简称“临港集团”)与国微集团(深圳)有限公司(以下简....

  随着日本对韩系半导体的制裁开始,韩系半导体厂商的日子可以说是屋漏便逢连阴雨了。

  可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向....

  若双方对峙态势升温,将不利韩国半导体出口,长远影响即为加速韩国关键材料研发及分散供货来源,对日本产业....

  表头的准确度等级为1级(即表头自身的灵敏度误差为±1%),水平放置,整流式仪表,绝缘强度试验电压为5....

  LED是一种新型半导体固态光源。它是一种不需要钨丝和灯管的颗粒状发光器件。LED光源凭借环保、节能、....

  近日,长沙举办新一代半导体产业链建设合作交流暨集中签约活动。全国政协教科卫体委员会副主任曹健林,中国....

  5G商用牌照的发放,带动5G全产业链进入发展快车道,推动包括芯片、器件、材料、设备、传输、网络、终端....

  该资料是一漫画的形式讲解半导体,画风不错,个人感觉可以在一定程度上解决单纯学半导体给我们带来的...

  欧司朗支持263亿出售100%股权的要约,贝恩资本和凯雷集团组成的投标参团成为“接盘侠”。

  近日,赣州经济技术开发区举行项目签约仪式,现场签约7个项目,总投资91.6亿元。市领导李明生出席签约....

  近日,杭州立昂微电子股份有限公司再传佳报,浙江省第一根拥有完全自主知识产权的量产型集成电路用12英寸....

  据韩媒报道,三星电子副会长李在镕近日紧急前往日本,相关人士透露,李在镕将会见日本当地的经济界人士,就....

  近期,半导体产业最热门的消息,就是传出台积电与多年合作伙伴辉达(NVIDIA)拆伙,将新一代 7 奈....

  在整个半导体产业链中,中国投入最多资金的就属晶圆代工部份。具体来说,晶圆代工就是在硅晶圆上制作电路与....

  中国紫光集团上月底正式发文公告筹组DRAM事业群,南亚科前总经理、武汉新芯执行长高启全也将加入紫光集....

  据联合报报道,韩国总统文在寅8日呼吁日本撤回对韩国企业的出口限制,认为日本是为了政治目的限制贸易。

  引言 由锁相环构成的间接式频率合成器在无线通信领域发挥着非常重要的作用。通常采用锁相频率合成器的输出信号来作为无线接收机...

  输入信号4MHz,我想得到输出幅度100V,4M的信号,想用运放+晶体管搭建或者MOS管,不知道可行不,急。 拜谢!!(之前本打算...

  近几十年来,电子技术发展非常迅速,应用也越来越广泛,目前已成为现代科学技术的一个重要组成部分。那到底....

  该类型的激光器利用输出固定波长的半导体激光器代替了传统的氪灯或氙灯来对激光晶体进行泵浦,从而取得了崭....

  三星近日公布了2019年第二季度的盈利情况,去年三星由于内存和闪存涨价的关系赚到盘满钵满,然而随着内....

  当地时间7月1日,日本经济产业省宣布从7月4日起,修订对韩国进口管理的政策,对OLED材料氟聚酰亚胺....

  半导体泵浦固体激光器(Diode Pump Solid State Laser),是一种用半导体固体....

  湖南省人民政府消息显示,7月6日长沙新一代半导体产业链建设合作交流暨集中签约活动在湖南湘江新区举行,....

  据仙桃日报报道,7月6日,台湾利科光学半导体封装及产业链项目在仙桃举行签约仪式。

  台北南阳街一家叫做“小欣欣豆浆店”的早餐店里,七个男人围坐在餐桌前,正在谈论电子表的芯片。提问的是台....

  LED显示屏(LED display):一种平板显示器,由一个个小的LED模块面板组成。LED ,发....

  半导体智库,中国半导体资料库。经过小编们彻夜不眠,我们终于收集并整理了超过18G全网最全的半导体学习....

  LM1875是美国国半公司研发的一款功放集成块,它在使用中外围电路少 而且有完善的过载保护功能,它为....

  日本半导体制裁韩国事件刷屏半导体圈!(全球恐慌!日本半导体 封杀韩国!)

  数字方用表测量不同直流电压靠电阻分压来实现,测量不同的直流电流靠电阻分流来实现,测量不同的交流电压靠....

  从半导体全产业链来看,日本在14种半导体重要材料方面均占有50%以上份额,是全球最大的半导体材料输出....

  导电聚合物材料的电学特性是通过掺杂来控制其电阻率来改变的。因此精确测量导电聚合物的电阻率具有重要意义。半导体工业中普遍使...

  业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用,但其它工艺技术也有...

  作者:齐芳 吴尽昭 0 引 言 错误诊断是集成电路验证后期一个非常重要的阶段,它帮助设计者在一个错误芯片中预...

  ■ 恩智浦半导体 K. Werner,S. Theeuwen,J. de Boet,V. Bloem,W. Sneijers 高压LDMOS是高达3.8GHz的国防...

  半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年,一路上挟风带雨,好不风光。不过随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限...

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。 HDSP-0983显示器采用环氧玻璃 - 陶瓷密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 在整个温度范围内保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容用于发光的分类强度

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。密封的HDSP-0783显示器采用焊接玻璃料密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 温度保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容分类发光强度

  此标准固态显示器具有7.4毫米(0.29英寸)点阵字符和板载IC,带有数据存储器锁存器/解码器和LED驱动器,采用玻璃/陶瓷包。密封的HDSP-0883显示器采用焊接玻璃料密封。该超量程设备显示“/ -1”和右手小数点,通常通过外部开关晶体管驱动。 特点 4 x 7点阵字符超出范围/ - 1 温度保证性能存储器锁存器/解码器/驱动器 TTL兼容分类发光强度

  MGA-83563 3V PA /驱动器,22dBm PSAT,0.5-6GHz,SOT363(SC-70)

  MGA-83是一个3V器件,具有20dBm P1dB。它采用微型SOT-363封装,专为3V驱动放大器应用而设计。偏压:3V,142mA;增益= 22dB; P1dB = 19dBm; IP3i = 7dB;全部在2.4GHz,PAE = 41%。

  MGA-82563 3V驱动器放大器,17dBm P1dB,低噪声,0.1-6GHz,SOT363(SC-70)

  MGA-82是3V器件,具有17dBm P1dB。它采用微型SOT-363封装,专为3V驱动放大器应用而设计。偏压:3V,84mA;增益= 13dB; NF = 2.2dB; P1dB = 17.3dBm;所有2GHz的IP3i = 14dB。

  1、引言 随着科技的进步,半导体制造技术日新月异。微波晶体管的输出功率能力在个个频段都得到不断提高,在甚高频频段已有单管输...

  就在不久前,市场上的绝大多数IC从本质上说,不是纯数字电路就是纯模拟电路。而如今,为了满足成本、尺寸、重量和功耗等方面的...

  信息该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 BSS138特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其他开关应用中。 0.22 A, 50 V. R = 3.5 Ω @ V = 10 V. R = 6.0 Ω @ V = 4.5 V 高密度单元设计可实现极低的 R。 坚固而可靠。 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。...

  信息该 N 沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这款产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。 BSS123 特别适合于小型伺服电动机控制、功率MOSFET栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。0.17 A, 100 V, R = 6 Ω @ V = 10 V0.17 A, 100 V, R = 10 Ω @ V = 4.5 V高密度单元设计可实现极低的 R坚固而可靠紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装...

  信息此NPN双极达林顿晶体管设计用于开关应用,如打印锤,继电器,电磁阀和灯驱动器。该器件采用SOT-223封装,专为中等功率表面贴装应用而设计。 SOT-223封装可使用波峰焊或回流焊进行焊接。形成的引线吸收焊接过程中的热应力,消除模具损坏的可能性 12 mm卷带和卷盘使用BSP52T1订购7英寸/ 1000单元卷轴使用BSP52T3订购13英寸/ 4000单位卷轴 PNP补充是BSP62T1 无铅封装可用 用于汽车和其他应用的S和NSV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AECQ101合格且PPAP能力 电路图、引脚图和封装图...

  信息BSP50 该器件设计用于在集电极电流达 500 mA 的情况下需要极高电流增益的应用。 采用工艺03设计。

  信息4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 都是耦合至光隔离器的光电晶体管类型。 一个砷化镓红外发光二极管与一个高压NPN硅光电二极管耦合。 该器件提供标准塑封6引脚双列直插封装。高电压:MOC8204M, BV= 400 VH11D1M, BV= 300 VH11D3M, BV= 200 V安全和法规认证:UL1577,4170 VAC(1 分钟)DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息通用光电耦合器包含一个砷化镓红外发光二极管,用于驱动硅光敏晶体管,采用标准塑料六引脚双列封装。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。 通过UL认证(文件编号E90700,卷2) VDE认证(文件编号102497)– 添加选项V(例如,4N25VM)

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。IF = 10 mA、VCE = 10 V 时的最小电流传输比: 4N27M 和 4N28M 为 10% 4N25M 和 4N26M 为 20% 4N35M、4N36M 和 4N37M 为 100%安全和法规认证: UL1577、4,170 VACRMS(1 分钟) DIN-EN/IEC60747-5-5,850 V 峰值工作绝缘电压

  信息该通用光电耦合器包含砷化镓红外线发光二极管,该二极管驱动6引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。AC-DC商用电源消费型设备工业级电机

  55GN01MA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP

  信息 55GN01MA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单MCP用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz典型 高增益:正向传输增益= 10dB典型值(f = 1GHz)

  55GN01FA RF晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP

  信息 55GN01FA是射频晶体管,10V,70mA,fT = 5.5GHz,NPN单SSFP,用于UHF宽带低噪声放大器应用。 高截止频率:fT = 5.5GHz(典型值) 高增益。前向传输增益= 19dB(典型值)[f = 400MHz] 超小型封装允许应用集小 无卤素合规。

  50A02CH 双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单

  信息 50A02CH是双极晶体管,-50V,-0.5A,低VCE(sat),PNP单用于低频通用放大器应用。 高集电极电流能力 低集电极至发射极饱和电压(电阻): RCE(sat)typ =210mΩ[IC = 0.5A,IB = 50mA] 低导通电阻(Ron) 无铅,无卤素且符合RoHS标准kj138本港台现场报码


Copyright 2017-2025 http://www.wwwag3333.com All Rights Reserved.